[功率器件百科]功率半導(dǎo)體是什么？

發(fā)布時間：2024-06-11

功率半導(dǎo)體是一類在電力電子領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛的半導(dǎo)體器件，主要用于在電路中控制、調(diào)節(jié)和轉(zhuǎn)換電流和電壓。與普通的信號半導(dǎo)體相比，功率半導(dǎo)體具有承受高電壓和大電流的能力，適用于高功率電子設(shè)備和系統(tǒng)的設(shè)計與應(yīng)用。功率半導(dǎo)體具有許多獨(dú)特的特點(diǎn)，包括高耐壓、低導(dǎo)通電阻、高頻率響應(yīng)等。這些特點(diǎn)使得功率半導(dǎo)體在電力變換、電機(jī)驅(qū)動、電源管理等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。常見的功率半導(dǎo)體器件包括晶閘管、場效應(yīng)管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等，它們在各種電力電子設(shè)備中都有著重要的應(yīng)用。功率半導(dǎo)體在現(xiàn)代科技中扮演著至關(guān)重要的角 ...123

功率半導(dǎo)體功產(chǎn)業(yè)大廠：2023年研發(fā)投入帶來新趨勢

發(fā)布時間：2024-06-11

2023年，在國際大廠紛紛裁員的情況下，國內(nèi)功率器件廠商反其道而行，增加研發(fā)人員數(shù)量。華潤微、揚(yáng)杰科技、宏微科技等廠商紛紛加大研發(fā)投入，提升研發(fā)人員薪資，展現(xiàn)出對未來的信心。芯導(dǎo)科技更是將研發(fā)人員平均年薪提升至49.19萬元。盡管功率器件市場增速放緩，但廠商們?nèi)匀粯酚^看待未來，加大研發(fā)投入以謀求突破。宏微科技、鍇威特、捷捷微電等廠商的研發(fā)費(fèi)用漲幅超過50%，彰顯了他們在技術(shù)創(chuàng)新方面的決心。華潤微、蘇州固锝、芯導(dǎo)科技等企業(yè)也在研發(fā)費(fèi)用上加大投入，超過20%的漲幅顯示出他們在競爭中的決心。廠商們不僅 ...123

MOS管MOSFET科普介紹：工作原理、應(yīng)用和驅(qū)動電路

發(fā)布時間：2024-04-07

MOS管，即MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種常見的半導(dǎo)體器件，主要用于電路中的開關(guān)和放大等功能。以下是關(guān)于MOSFET的介紹：工作原理MOSFET中的MOS代表金屬氧化物半導(dǎo)體。MOSFET的工作原理是利用柵極與基極之間的電場控制通道的電阻值，從而實(shí)現(xiàn)放大或開關(guān)控制。三個極MOSFET的三個極分別是源極、柵極和漏極。源極和漏極之間的通道受柵極控制，柵極與源極之間的電壓改變通道電阻，從而改變源極和漏極之間的電 ...123

半導(dǎo)體高級封裝技術(shù)：技術(shù)快速演進(jìn)成為行業(yè)支柱

發(fā)布時間：2024-04-07

高級封裝技術(shù)將在未來半導(dǎo)體領(lǐng)域扮演重要角色。在未來五年內(nèi)，一個系統(tǒng)中芯片數(shù)量將從4-10增加到10-30（增長3倍），預(yù)計十年后這一數(shù)字將進(jìn)一步增加；在內(nèi)存方面，新的內(nèi)存架構(gòu)將改善內(nèi)存墻問題，望解決內(nèi)存容量、速度和功耗成為系統(tǒng)瓶頸的情況；在互聯(lián)方面，未來十年高級封裝的互聯(lián)線數(shù)量將從1000-2000增加至8000，同時采用新的IO接口技術(shù)（如PAM8和高密度WDM光學(xué)互聯(lián)）以提升數(shù)據(jù)帶寬并降低數(shù)據(jù)移動成本。這些需求對應(yīng)了高級封裝技術(shù)的技術(shù)發(fā)展，MAPT在高級封裝章節(jié)提出了未來十年的技術(shù)方向。未來 ...123